韓國記憶體巨頭SK海力士提前完成全球最先進高頻寬記憶體晶片樣品交付，進一步拉大與競爭對手之間的技術差距。這家高頻寬記憶體(HBM)領域的先驅企業，也是人工智慧晶片龍頭輝達公司及其他AI晶片製造商的核心供應商，於3月20日宣布已向客戶交付第一批12層HBM4樣品進行品質評估，比原定計劃提前了六個月。SK海力士原本預計在2026年初才能完成這項工作。
SK海力士表示，計劃在今年下半年為12層HBM4的量產做好準備，以便立即開始供貨。這次比計劃更快的樣品供應，是為了回應客戶日益增長的需求，特別是在AI競賽日趨激烈的背景下，輝達公司迫切需要更快、更高效的記憶體來支持下一代AI應用。
去年11月，輝達執行長黃仁勳曾要求SK海力士提前約六個月供應12層HBM4晶片。這款第六代高性能記憶體晶片預計將安裝在輝達下一代圖形架構Vera Rubin上，這是Blackwell AI晶片的後繼產品。在3月19日的輝達GPU技術大會(GTC 2025)上，黃仁勳表示Blackwell Ultra計劃在2025年下半年推出，而Rubin AI晶片預計在2026年底發布。業內人士稱GTC為「AI界的超級盃」，可見其影響力之大。
值得注意的是，這也是SK海力士與全球頂級晶圓代工廠台積電首次合作開發的HBM晶片。去年12月，這家韓國晶片製造商宣布將在3奈米製程上生產HBM4晶片。SK海力士表示將採用台積電先進邏輯製程技術，用於HBM4的基底晶片，該基底晶片位於HBM底部，連接到圖形處理單元，相當於整個架構的「大腦」。
SK海力士表示，其最新創新產品擁有業界最佳的容量和速度，這對處理大量數據的AI處理器至為重要。12層HBM4是業界首款能夠每秒處理超過2太位元組(TB)數據的HBM。該公司解釋說，這意味著每秒可處理相當於400多部全高清電影(每部5GB)的數據，比上一代HBM3E快60%以上。
韓國晶片製造商還採用了先進的MR-MUF工藝，通過改善散熱來防止晶片翹曲並最大限度地提高產品穩定性，從而實現36GB的容量，這在12層HBM產品中是最高的。
SK海力士長期以來一直是HBM開發領域的領導者，據估計在全球HBM晶片市場佔有50%的市場份額。2024年，該公司成功實現了8層和12層HBM3E的量產，成為全球首家向輝達供應12層高HBM3E的廠商。
在3月17日至21日於加州聖荷西舉行的全球AI大會GTC 2025上，SK海力士將展示其用於AI數據中心的HBM和其他記憶體產品，以及用於車用應用的裝置內記憶體解決方案。它將展示12層高HBM3E和用於AI伺服器的SOCAMM2（小型壓縮附加記憶體模組），以及12層高HBM4的模型。
HBM技術通過垂直堆疊多個動態隨機存取記憶體(DRAM)晶片來加速數據傳輸速度，已成為AI革命的基石。在AI處理領域占主導地位的輝達公司，嚴重依賴HBM技術來增強其高端GPU的性能，這些GPU為OpenAI的ChatGPT等大型AI模型提供動力。
競爭對手三星電子和美光科技也在研發下一代HBM解決方案，旨在爭奪不斷增長的AI基礎設施市場份額。特別是，SK海力士的同鄉競爭對手三星最近制定了激進的HBM產能擴張計劃，但在技術實力和進度方面仍落後於SK海力士。
業界專家表示，SK海力士在先進記憶體技術上的領先地位，不僅鞏固了其在全球AI供應鏈中的核心角色，也為韓國半導體產業贏得了重要戰略優勢。隨著AI應用日益普及，對高性能記憶體的需求預計將持續增長，這為包括SK海力士在內的記憶體製造商提供了龐大的市場機會。然而，這也對製造商的創新能力和生產效率提出了更高要求，企業必須不斷提升技術實力以保持競爭優勢。
